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大连理工大学 [3]
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期刊论文 [3]
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2019 [3]
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Point defects in group III nitrides: A comparative first-principles study
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 125
作者:
Gao, Yinlu
;
Sun, Dan
;
Jiang, Xue
;
Zhao, Jijun
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提交时间:2019/12/02
Aluminum nitride
Binary alloys
Calculations
Density functional theory
Energy gap
Gallium nitride
III-V semiconductors
Nitrides
Point defects
Semiconductor devices
Semiconductor doping
Time varying systems, Defect configurations
Diffusion properties
Donor and acceptor
First-principles study
Migration barriers
Native point defects
Self-compensation effects
Wide-bandgap semiconductor devices, Wide band gap semiconductors
Defect stability and electronic structure of doped beta-Ga2O3: A comprehensive ab initio study
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 794, 页码: 374-384
作者:
Sun, Dan
;
Gao, Yinlu
;
Xue, Jiang
;
Zhao, Jijun
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提交时间:2019/12/02
beta-Ga2O3
Doped
Defect
Irradiation
Two-dimensional spin-valley-coupled Dirac semimetals in functionalized SbAs monolayers
期刊论文
MATERIALS HORIZONS, 2019, 卷号: 6, 页码: 781-787
作者:
Liu, Zhifeng
;
Feng, Wangxiang
;
Xin, Hongli
;
Gao, Yinlu
;
Liu, Pengfei
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  |  
提交时间:2019/12/02
Antimony compounds
Calculations
Landforms
Monolayers
Quantum theory
Topology, Ab initio calculations
Functionalized
Graphene likes
Inversion symmetry
Spin hall conductivity
Spin splittings
Spin-orbit couplings
Topological analysis, Spin Hall effect
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