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1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214
作者:
Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2]
;
Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2]
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2022/04/07
Total ionizing dose irradiation
UTBB FD-SOI
1
f noise
Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381
作者:
Cai, Chang
;
Liu, Tianqi
;
Zhao, Peixiong
;
Fan, Xue
;
Huang, Hongyang
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2022/01/19
D filp-flops (DFFs)
heavy ions
radiation hardening
single-event upsets (SEUs)
ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)
Development of a new high-speed readout system for soi pixel detectors
期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 2019, 卷号: 924, 页码: 480-484
作者:
Nishimura, Ryutaro
;
Arai, Yasuo
;
Miyoshi, Toshinobu
;
Hirano, Keiichi
;
Kishimoto, Shunji
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/04/22
Soi
Pixel detector
Daq
Fpga
X-ray imaging
Development of a new high-speed readout system for soi pixel detectors
期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 2019, 卷号: 924, 页码: 480-484
作者:
Nishimura, Ryutaro
;
Arai, Yasuo
;
Miyoshi, Toshinobu
;
Hirano, Keiichi
;
Kishimoto, Shunji
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/04/22
Soi
Pixel detector
Daq
Fpga
X-ray imaging
Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ]
;
Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ]
;
Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
收藏
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2019/05/14
Back-gate biasing
forward body bias (FBB)
total ionizing dose (TID)
ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)
Voltage-Controlled Magnetoelectric Memory Bit-cell Design With Assisted Body-bias in FD-SOI
会议论文
GLSVLSI '19 - PROCEEDINGS OF THE 2019 ON GREAT LAKES SYMPOSIUM ON VLSI, 2019-01-01
作者:
Cai, Hao
;
Han, Menglin
;
Shan, Weiwei
;
Yang, Jun
;
Wang, You
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/30
VCMA-MTJ
design boundary
voltage assisted techniques
ultra-low power
FD-SOI
Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors
会议论文
作者:
Kuang Y(匡勇)
;
Bu JH(卜建辉)
;
Li B(李博)
;
Gao LC(高林春)
;
Liang CP(梁春平)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/10
Investigation of a novel SOI LDMOS using p plus buried islands in the drift region by numerical simulations
期刊论文
2018, 卷号: 17, 页码: 646-652
作者:
Lei, Jianmei[1]
;
Hu, Shengdong[2,3]
;
Yang, Dong[2,3]
;
Huang, Ye[2,3]
;
Yuan, Qi[2,3]
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/30
FD-SOI随机掺杂与自加热效应影响器件模型研究
学位论文
2018
作者:
杨江江
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/26
全耗尽SOI
阈值电压
阈值电压波动
自加热效应
随机掺杂波动
Threshold voltage model of total ionizing irradiated short-channel FD-SOI MOSFETs with Gaussian doping profile
期刊论文
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 卷号: 65, 页码: 2679-2690
作者:
Huang, Huixiang
;
Wei, Sufen
;
Pan, Jinyan
;
Xu, Wenbin
;
Chen, Chi-Cheng
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/26
Gaussians
Integrated circuit modeling
Interface traps
MOS-FET
Short-channel effect
Silicon on insulator (SOI)
Threshold voltage modeling
Total dose radiation
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