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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
  收藏 | 浏览/下载：35/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 4H-SiC单晶衬底的ICP刻蚀工艺研究 学位论文
2018
作者: 朱帅帅
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/11/26
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| AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
收藏 | 浏览/下载：73/0 | 提交时间：2016/06/01
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| 高密度RF等离子体刻蚀工艺直流自我偏压的研究 期刊论文
压电与声光, 2014
李悦
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/11/11
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| ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制 期刊论文
固体电子研究与进展, 2012, 卷号: 32, 期号: 3
作者: 黄伟 ; 蔡勇; 张宝顺
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2013/01/22
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| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDZJ200905006&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012
江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/15
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| 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102260870A, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
曹远迎; 李耀耀; 张永刚; 顾溢; 王凯
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文
2010, 2010
江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟; JIANG Shan; DONG Lei; ZHANG Rui-kang; LUO Yong; XIE Shi-zhong
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| 刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器的制作与特性 期刊论文
2010, 2010
王健; 熊兵; 孙长征; 郝智彪; 罗毅; WANG Jian; XIONG Bing; SUN Chang-zheng; HAO Zhi-biao; LUO Yi
收藏 | 浏览/下载：4/0 |
