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题名	4H-SiC单晶衬底的ICP刻蚀工艺研究
作者	朱帅帅
答辩日期	2018
导师	白煜
关键词	4H-SiC 电感耦合等离子体 沟槽刻蚀 微沟槽效应 深孔刻蚀
学位名称	工程硕士
URL标识	查看原文
内容类型	学位论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2913106
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	朱帅帅. 4H-SiC单晶衬底的ICP刻蚀工艺研究[D]. 2018.

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