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背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  张翔
收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/11/19
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载:272/0  |  提交时间:2019/07/15
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/07/15
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2018/07/06
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2017/09/26
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2017/09/26
一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法 专利
专利号: CN201310145993.7, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2014-10-29
作者:  刘明;  霍宗亮
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2018/04/27
时域超宽带小型化天线技术与应用研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
王友成
收藏  |  浏览/下载:172/0  |  提交时间:2016/07/01
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2
作者:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发;  郭旗;  何承发;  李豫东
收藏  |  浏览/下载:98/0  |  提交时间:2016/03/01
一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 专利
专利号: CN201110138464.5, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2012-11-28
作者:  谢常青;  王晨杰;  霍宗亮;  刘明;  张满红
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2016/04/14


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