沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

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	沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
	崔江维 ; 郑齐文 ; 余德昭 ; 周航 ; 苏丹丹 ; 马腾 ; 魏莹 ; 余学峰; 郭旗
刊名	电子学报
	2018
卷号	46 期号:5 页码:1128-1132
关键词	65nm 负偏压温度不稳定性沟道宽度
ISSN号	0372-2112
英文摘要	随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考.
CSCD记录号	CSCD:6268827
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5412]
专题	新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所 4.中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	崔江维,郑齐文,余德昭,等. 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究[J]. 电子学报,2018,46(5):1128-1132.
APA	崔江维.,郑齐文.,余德昭.,周航.,苏丹丹.,...&郭旗.(2018).沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究.电子学报,46(5),1128-1132.
MLA	崔江维,et al."沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究".电子学报 46.5(2018):1128-1132.