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| 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者: 周书星1; 方仁凤1; 魏彦锋1; 陈传亮1; 曹文彧1
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| InP基短波红外探测器材料生长和优化设计 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
王凯
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2013/04/24
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| InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文) 期刊论文
红外与毫米波学报, 2012, 期号: 5, 页码: 385-388+398
王凯; 顾溢; 方祥; 周立; 李成; 李好斯白音; 张永刚
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| 采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文) 期刊论文
红外与毫米波学报, 2011, 期号: 06
顾溢; 王凯; 李成; 方祥; 曹远迎; 张永刚
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| 单面金属波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利
专利号: CN101345393B, 申请日期: 2010-10-06, 公开日期: 2010-10-06
作者: 曹俊诚; 黎华; 韩英军
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| 以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究 期刊论文
2010, 2010
魏榕山; 邓宁; 王民生; 张爽; 陈培毅; 刘理天; 张璟; WEI Rong-shan; DENG Ning; WANG Min-sheng; ZHANG Shuang; CHEN Pei-yi; LIU Li-tian; ZHANG Jing
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| InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101685942, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利
专利号: CN101685942A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31
作者: 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌
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| 传感网特征与通用技术需求 期刊论文
电信技术, 2010, 期号: 01
陈洁; 邢涛
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2012/01/06
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| InP基HEMT结构上制备的肖特基二极管 会议论文
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2010
孙浩; 孙晓玮; 齐鸣; 王伟; 艾立鹍; 滕腾; 李凌云; 钱蓉; 徐安怀; 朱福英; 田彤
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2012/01/18 |
