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双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用 期刊论文
自动化与仪器仪表, 2013, 期号: 2013年01期, 页码: 101-103+106
作者:  朱世欣;  王贵锋
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一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2011-09-20, 公开日期: 2012-11-20
作者:  姜一波,曾传滨,杜寰
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基于霍尔效应的MOS晶体管 专利
专利号: ZL201010259644.4, 申请日期: 2010-08-20, 公开日期: 2015-05-25
作者:  钟汇才;  梁擎擎;  朱慧珑
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CuPc作蓝色OLED的缓冲层对器件性能影响的研究 期刊论文
光子技术, 2005, 期号: 2, 页码: 25-28+32
作者:  欧谷平;  宋珍;  桂文明;  张福甲
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深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1140-1143
作者:  蔡志军;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  丛秀云
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输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响 期刊论文
湖南大学学报：自然科学版, 2005, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 90, 94
瞿述; 彭景翠; 张高明; 赵楚军; 李宏建
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氢化非晶硅多数子驼峰二极管 期刊论文
1986, 期号: 3, 页码: 30
作者:  钟雨乐
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阻变存储器及其制造方法 专利
专利号: CN201110068633.2, 公开日期: 2012-09-26
作者:  刘明;  谢常青;  龙世兵;  张康玮;  吕杭炳
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