深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

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	深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性
	蔡志军; 巴维真; 陈朝阳; 崔志明; 丛秀云
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:6 页码:1140-1143
关键词	深能级杂质费米能级多数载流子补偿度
ISSN号	2534177
其他题名	compensation characteristics of deep energy level impurity zn to n-type silicon
中文摘要	为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关.
英文摘要	In order to obtain mono-crystal silicon thermistor material having high B-value, deep energy level impurity Zn is doped into n-type silicon using a high temperature gas phase diffusion method. Highly compensated silicon material is obtained. The characteristics of the material are measured and analyzed. It is shown that the compensated silicon material has thermally sensitive characteristics. The B-constant of the material is about 6300 K and the resistance-temperature relationship of the material depends on the compensation degree of impurities.
学科主题	Engineering (provided by Thomson Reuters)
公开日期	2012-11-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2135]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	蔡志军,巴维真,陈朝阳,等. 深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性[J]. 半导体学报,2005,26(6):1140-1143.
APA	蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,&丛秀云.(2005).深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性.半导体学报,26(6),1140-1143.
MLA	蔡志军,et al."深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性".半导体学报 26.6(2005):1140-1143.