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	A Novel Low-leakage Power-rail ESD Clamp Circuit with Adjustable Triggering Voltage and Superior False-triggering Immunity for Nanoscale Applications 其他 2016-01-01 Lu, Guangyi; Wang, Yuan; Cao, Jian; Jia, Song; Zhang, Xing 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2017/12/03 Electrostatic discharge (ESD) detection circuit triggering voltage (V-t1) leakage current (I-leak) transmission line pulsing (TLP) test PROTECTION DESIGN
	A Prolonged Discharge Time ESD Power-rail Clamp Circuit Structure with Strong Ability to Prevent False Triggering 其他 2016-01-01 Jian Cao; Xiangxiang Xue; Yuan Wang; Guangyi Lu; Xing Zhang 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2017/12/03 ESD power-rail clamp circuit leakage current anti-false triggering discharge time ESD power-rail clamp circuit leakage current anti-false triggering discharge time
	A Low-Leakage Power Clamp ESD Protection Circuit with Prolonged ESD Discharge Time and Compact Detection Network 其他 2015-01-01 Cao, Jian; Ye, Zhenxu; Wang, Yuan; Lu, Guangyi; Zhang, Xing 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2017/12/03 electrostatic discharge (ESD) power clamp circuit leakage current mis-triggering DESIGN
	Study on wurtzite-Sc(x)AI(1-x)N thin film : A review 其他 2013-01-01 Jia Yubin 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2015/11/13 piezoelectric response piezoelectric modulus leakage current w-Sc(x)AI(1-x)N alloy ab initio theory fist-principle
	Investigations on Proton-Irradiation-Induced Spacer Damage in Deep-Submicron MOSFETs 其他 2008-01-01 Xue, Shoubin; Wang, Pengfei; Huang, Ru; Wu, Dake; Pei, Yunpeng; Wang, Wenhua; Zhang, Xing 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2015/11/10 THIN GATE OXIDES HEAVY-ION IRRADIATION INDUCED LEAKAGE CURRENT RELIABILITY DEGRADATION CMOS TRANSISTORS DEPENDENCE BREAKDOWN
	Enhanced device performance of AlGaN/GaN HEMTs using thermal oxidation of electron-beam deposited Aluminum for gate oxide 其他 2008-01-01 Chen, Hongwei; Wang, Jinyan; Xu, Chuan; Yu, Min; Fu, Yang; Dong, Zhihua; Xu, Fujun; Hao, Yilong; Wen, Cheng P. 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2015/11/13 AlGaN/GaN MOS-HEMTs leakage current thermal oxidation electron-beam evaporation FIELD-EFFECT TRANSISTORS AL2O3
	The annealing effect of Schottky contact on AlGaN/GaN 其他 2004-01-01 Zhou, J; Hao, YL; Yang, ZJ; Zhang, GY; Wu, GY 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/13 AlGaN/GaN Schottky contact RTA leakage Current PACS 73.40.Sx 73.61.Ey GAN
	Reliability characteristics of high-K gate dielectrics HfO2 in metal-oxide semiconductor capacitors 其他 2003-01-01 Han, DD; Kang, JF; Lin, CH; Han, RQ 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/10 reliability high-K HfO2 gate dielectrics INDUCED LEAKAGE CURRENT HARD BREAKDOWN SILICON SIMULATION MOSFETS SOFT
	The experimental investigation on Stress-Induced Leakage Current under Fowler-Nordheim constant voltage stress 其他 2001-01-01 Wei, JL; Mao, LF; Xu, MZ; Tan, CH 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2015/11/13 Fowler-Nordheim stress Stress-Induced Leakage Current THIN SIO2-FILMS MECHANISM OXIDES
	Effects of MeV Si ion irradiation on the properties of shallow P+N junctions 其他 1998-01-01 Wang, ZL; Zhao, QT; Li, MY; Gong, XJ 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2015/11/10 ion defect-engineering leakage current IMPLANTATION SILICON LAYERS

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