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半导体研究所 [71]
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会议论文 [7]
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2010 [4]
2009 [7]
2008 [2]
2007 [2]
2006 [11]
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学科主题
半导体物理 [71]
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学科主题:半导体物理
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Fabrication of(Ga,Mn)As magnetic semiconductor quantum dots on Si substrates by droplet epitaxy
期刊论文
physica status solidi(c) current topics in solid state physics, 2011, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 393-395
Wang, S.L.
;
Meng, K.K.
;
Chen, L.
;
Xu, P.F.
;
Meng, H.J.
;
Lu, J.
;
Zhao, J.H.
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2012/06/14
Drop formation
Epitaxial growth
Ferromagnetic materials
Ferromagnetism
Gallium alloys
High resolution transmission electron microscopy
Magnetic semiconductors
Manganese
Semiconducting silicon
Semiconductor growth
Semiconductor quantum dots
Effective channels of breaking the phonon bottleneck: A lattice relaxation approach
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 4, 页码: 43512
Wang ZW
;
Li SS
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/01/06
QUANTUM DOTS
ENERGY-RELAXATION
ELECTRON RELAXATION
The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of optics, 2010, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: art. no. 055203
Huang X (Huang X.)
;
Zhang XH (Zhang X. H.)
;
Zhu YG (Zhu Y. G.)
;
Li T (Li T.)
;
Han LF (Han L. F.)
;
Shang XJ (Shang X. J.)
;
Ni HQ (Ni H. Q.)
;
Niu ZC (Niu Z. C.)
收藏
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浏览/下载:77/6
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提交时间:2010/08/17
InAs quantum dots
nonlinear refraction
reflection Z-scan
dc electric field effect
ELECTROOPTIC PROPERTIES
SATURABLE ABSORBER
OPTICAL-PROPERTIES
WELL STRUCTURES
SINGLE-BEAM
BAND-GAP
ELECTROABSORPTION
ABSORPTION
REFLECTION
DEPENDENCE
Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600
作者:
Zhang XH
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/04/28
Ultrathin InAs monolayer
Hole spin relaxation
DP mechanism
SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
WELLS
GAAS
Room-Temperature Ferromagnetism in Co-Doped In2O3 Nanocrystals
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2010, 卷号: 114, 期号: 41, 页码: 17569-17573
Meng XQ (Meng Xiuqing)
;
Tang LM (Tang Liming)
;
Li JB (Li Jingbo)
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/11/02
THIN-FILMS
QUANTUM DOTS
AB-INITIO
INDIUM
ZNO
SEMICONDUCTORS
ACTIVATION
OXIDATION
ELECTRON
ENERGY
The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
期刊论文
optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 7, 页码: 1510-1513
作者:
Zhang XH
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浏览/下载:145/2
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提交时间:2010/04/22
InAs quantum dots
Nonlinear refraction
Reflection Z-scan
REFLECTION Z-SCAN
OPTICAL NONLINEARITIES
2-PHOTON ABSORPTION
SATURABLE ABSORBER
WELL STRUCTURES
SINGLE-BEAM
ELECTROABSORPTION
DISPERSION
SOLIDS
GAAS
Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2258-2263
Don XM
;
Sun BQ
;
Huang SS
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Yang FH
;
Jia R
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/08
biexcition binding energy
single quantum dots
exciton molecular model
Heitler-London method
Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
Band structure
k.p method
Quantum dots
Diluted nitride
Optical gain
Decay lifetime and evolution of semiconductor quantum dots in photonic crystals
期刊论文
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 65-72
Zhu ZY
;
Li SS
收藏
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浏览/下载:97/32
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提交时间:2010/03/08
Photonic crystal
Decay lifetime
Quantum dots
Rabbi oscillation
Fine structural splitting and exciton spin relaxation in single InAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103516
Dou XM
;
Sun BQ
;
Xiong YH
;
Niu ZC
;
Ni HQ
;
Xu ZY
收藏
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2010/03/08
deformation
excitons
fine structure
III-V semiconductors
indium compounds
phonons
photoluminescence
semiconductor quantum dots
spin dynamics
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