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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 34, 期号: 7 作者:  Du, Lulu;  Xin, Qian;  Xu, Mingsheng;  Liu, Yaxuan;  Liang, Guangda 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Ga2O3  Schottky barrier diodes (SBDs)  tin oxide (SnOx)  oxygen partial  pressures   Low-temperature fabrication of HfAlO alloy dielectric using atomic-layer deposition and its application in a low-power device 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2019, 页码: 543-549 作者:  Ma, Pengfei;  Sun, Jiamin;  Zhang, Guanqun;  Liang, Guangda;  Xin, Qian 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/11 Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe 期刊论文 Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 3 作者:  Wang, Yiming;  Zhang, Jiawei;  Liang, Guangda;  Shi, Yanpeng;  Zhang, Yifei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 2600-2605 作者:  Ma, Pengfei;  Liang, Guangda;  Wang, Yiming;  Li, Yunpeng;  Xin, Qian 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/12/11 Electrode  indium-gallium-zinc oxide (IGZO)  memory window  oxygen  plasma  resistive random access memories (ReRAMs)  retention time   Low-temperature fabrication of HfAlO alloy dielectric using atomic-layer deposition and its application in a low-power device 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 792, 页码: 543-549 作者:  Ma, Pengfei;  Sun, Jiamin;  Zhang, Guanqun;  Liang, Guangda;  Xin, Qian 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/11 HfAlO  High-k  Gate insulator  A-InGaZnO  Thin-film transistor  Atomic  layer deposition  Low-power device   Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1696-1699 作者:  Liu, Yaxuan;  Du, Lulu;  Liang, Guangda;  Mu, Wenxiang;  Jia, Zhitai 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 Gallium oxide (Ga2O3)  filed-effect-transistor (FET)  solar-blind  photodetector   Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 113, 期号: 6 作者:  Ma, Pengfei;  Sun, Jiamin;  Liang, Guangda;  Li, Yunpeng;  Xin, Qian 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 6 作者:  Liang, Guangda;  Wang, Yiming;  Han, Lin;  Yang, Zai-Xing;  Xin, Qian 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11 InSe  2D semiconductor  bias stress  PMMA encapsulation   Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric 期刊论文 Applied Physics Letters, 2018, 卷号: 113, 期号: 6 作者:  Li, Yuxiang;  Ma, Pengfei;  Sun, Jiamin;  Liang, Guangda;  Li, Yunpeng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11