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科研机构
山东大学 [8]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
2015 [1]
2014 [3]
2013 [1]
1998 [2]
1997 [1]
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Influence of the AlGaN barrier thickness on polarization Coulomb field scattering in an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor
期刊论文
Chinese Physics B, 2015, 期号: 08, 页码: 534-538
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Gu GD(顾国栋)
;
Yin JY(尹甲运)
;
Fang YL(房玉龙)
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提交时间:2019/12/17
AlGaN/AlN/GaN
barrier layer thickness
electron mobility
polarization Coulomb field scattering
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
期刊论文
中国物理B(英文版), 2014, 期号: 2, 页码: 426-430
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Gu GD(顾国栋)
;
Dun SB(敦少博)
;
Yin JY(尹甲运)
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
肖特基二极管
AlGaN
相对介电常数
阻挡层
基金属
应变
异质
AIN
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 期号: 02, 页码: 430-434
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Gu GD(顾国栋)
;
Dun SB(敦少博)
;
Yin JY(尹甲运)
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/17
Al(Ga)N/GaN
strain
relative permittivity
Schottky metal
Influence of temperature on strain-induced polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 期号: 07, 页码: 653-656
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Guo HY(郭红雨)
;
Gu GD(顾国栋)
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提交时间:2019/12/17
AlN/GaN
electron mobility
polarization Coulomb field scattering
polarization
Directly extracting both threshold voltage and series resistance from the conductance-voltage curve of an AlGaN/GaN Schottky diode
期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 期号: 07, 页码: 430-433
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Gu GD(顾国栋)
;
Dun SB(敦少博)
;
Yin JY(尹甲运)
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提交时间:2019/12/23
AlGaN/GaN heterostructure
Schottky diode
threshold voltage
series resistance
Annealing experiment on high-T-c superconductor Bi-2212 single crystals
会议论文
International Symposium on Processing and Critical Current of High-Temperature Semiconductors, FEB 02-04, 1998
作者:
Gu, GD
;
Han, SH
;
Lin, ZW
;
Zhao, Y
;
Russell, GJ
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提交时间:2019/12/31
Huge magnetic enhancement of the out-of-plane resistivity and depression of T-c onset in Bi-2212 single crystal
会议论文
International Symposium on Processing and Critical Current of High-Temperature Semiconductors, FEB 02-04, 1998
作者:
Han SH.
;
Gu GD.
;
Russell GJ.
;
Zhao Y.
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提交时间:2019/12/31
Study of Bi2Sr2CaCu2O8+delta single crystals annealed in vacuum
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1997, 卷号: 160, 期号: 1, 页码: 169-175
作者:
Han, SH
;
Zhao, Y
;
Gu, GD
;
Russell, GJ
;
Koshizuka, N
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提交时间:2020/01/14
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