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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：深圳先进技术研究院    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Controlled Electrochemical Deposition of Large-Area MoS2 on Graphene for High-Responsivity Photodetectors. 期刊论文 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2017 作者:  Wan, Xi;  Chen, Kun;  Chen, Zefeng;  Xie, Fangyan;  Zeng, Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/02 Electronic Properties of MoS2-WS2 Heterostructures Synthesized with Two-Step Lateral Epitaxial Strategy 期刊论文 ACS NANO, 2015 作者:  Kun Chen;  Xi Wan;  Jinxiu Wen;  Weiguang Xie;  Zhiwen Kang 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2016/01/27 Lateral Built-In Potential of Monolayer MoS2-WS2 In-Plane Heterostructures by a Shortcut Growth Strategy 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2015 作者:  Kun Chen;  Xi Wan;  Weiguang Xie;  Jinxiu Wen;  Zhiwen Kang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/01/27