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科研机构
半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [5]
2007 [5]
2006 [1]
学科主题
半导体材料 [13]
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学科主题:半导体材料
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High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 33002
Yin, Haibo
;
Wang, Xiaoliang
;
Ran, Junxue
;
Hu, Guoxin
;
Zhang, Lu
;
Xiao, Hongling
;
Li, Jing
;
Li, Jinmin
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/06/14
Epitaxial growth
Gallium nitride
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/09
Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with a compositionally step-graded AlGaN barrier layer
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1705-1708
Ma ZY (Ma Zhi-Yong)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Luo WJ (Luo Wei-Jun)
;
Tang J (Tang Jian)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
收藏
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2010/03/29
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
Characteristics of high Al content AlxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 8-9, 页码: 838-841
Wang XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu, Guoxin)
;
Wang BZ (Wang, Baozhu)
;
Ma ZY (Ma, Zhiyong)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Ran JX (Ran, Junxue)
;
Li JP (Li, Jianping)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
AlxGa1-xN
Simulation of In0.65Ga0.35N single-junction solar cell
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7335-7338
Zhang, X
;
Wang, X
;
Xiao, H
;
Yang, C
;
Ran, J
;
Wang, C
;
Hou, Q
;
Li, J
收藏
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浏览/下载:139/1
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提交时间:2010/03/08
BAND-GAP
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