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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate (vol 42, pg 283, 2016) 期刊论文 2016, 卷号: 47, 页码: 86-86 作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287 作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/20 VECSEL  MOVPE  InGaAs   Due date assignment and convex resource allocation scheduling with variable job processing times 期刊论文 2016, 卷号: 54, 页码: 3551-3560 作者:  Sun, Lin-Hui;  Cui, Kai;  Chen, Ju-Hong;  Wang, Jun 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 scheduling  resource allocation  learning effect  deteriorating job  due date assignment   Modeling lateral enlargement in dam breaches using slope stability analysis based on circular slip mode 期刊论文 2016, 卷号: 209, 页码: 70-81 作者:  Wang, Lin;  Chen, Zuyu;  Wang, Naixin;  Sun, Ping;  Yu, Shu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 dam breach  geotechnical analysis  circular slip surface  the effective versus total stress analysis  DBS-IWHR  Yigong Barrier Lake   Corrigendum to 'Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate' [Mater. Sci. Semicond. Process. 42 (2016) 283-287] 期刊论文 2016, 卷号: 47, 页码: 86 作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20