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	Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate (vol 42, pg 283, 2016)
	Lin, Tao; Sun, Ruijuan; Sun, Hang; Guo, Enmin; Duan, Yupeng; Lin, Nan; Ma, Xiaoyu; Wang, Yonggang
	2016
卷号	47页码:86-86
ISSN号	1369-8001
DOI	10.1016/j.mssp.2016.03.030
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000375042200014
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4984945
专题	西安理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Lin, Tao,Sun, Ruijuan,Sun, Hang,et al. Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate (vol 42, pg 283, 2016)[J],2016,47:86-86.
APA	Lin, Tao.,Sun, Ruijuan.,Sun, Hang.,Guo, Enmin.,Duan, Yupeng.,...&Wang, Yonggang.(2016).Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate (vol 42, pg 283, 2016).,47,86-86.
MLA	Lin, Tao,et al."Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate (vol 42, pg 283, 2016)".47(2016):86-86.

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