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	Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 844-847 作者: Zhan F 收藏 \| 浏览/下载：267/108 \| 提交时间：2010/03/08 Quantum Dots Desorption Molecular Beam Epitaxy
	Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者: Zhang SM; Yang H; Yang H; Wang YT; Zhu JJ 收藏 \| 浏览/下载：73/0 \| 提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY PHASE EPITAXY QUANTUM DOTS BAND-GAP GROWTH SURFACES
	Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏 \| 浏览/下载：75/8 \| 提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS HEMT STRUCTURES MOBILITY TRANSISTORS TEMPERATURE SURFACES PT/GAN GROWTH PD/GAN MOCVD
	A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 Yu Z; Li DZ; Cheng BW; Huang CJ; Lei ZL; Yu JZ; Wang QM; Liang JW 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/08/12 SiGe/Si epitaxial growth surface reaction kinetics UHV/CVD system CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION ATOMIC-HYDROGEN ADSORPTION SI(100) SI2H6 SIH4 MECHANISMS DESORPTION PHASE FILMS
	Kinetic modeling of N incorporation in GaInNAs growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 2, 页码: 214-216 Pan Z; Li LH; Zhang W; Lin YW; Wu RH 收藏 \| 浏览/下载：51/0 \| 提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE PULSED OPERATION CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION QUANTUM-WELLS LASER-DIODE TERTIARYBUTYLARSINE GAAS
	Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏 \| 浏览/下载：40/0 \| 提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE KINETICS ADSORPTION SILICON SI(100) MECHANISM SI2H6 PHASE FILMS
	Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys low temperature epitaxy desorption adsorption surface morphology growth kinetics HYDROGEN DESORPTION SI(100) SI SURFACTANT GERMANIUM MECHANISM KINETICS ALLOYS SI2H6 GAS-SOURCE MBE
	Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445 Liu JP; Liu XF; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2010/11/17 Si1-xGex alloys low-temperature epitaxy composition dependence growth kinetics GAS-SOURCE MBE SI2H6 SEGREGATION DEPENDENCE KINETICS FILMS

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