×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2011 [2]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2002 [2]
2000 [2]
更多...
学科主题
半导体材料 [5]
半导体物理 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Spatial hole burning degradation of algaas/gaas laser diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Qiao, Y. B.
;
Feng, S. W.
;
Xiong, C.
;
Wang, X. W.
;
Ma, X. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Carrier density
Cathodoluminescence
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Optical hole burning
Optical microscopy
Quantum well lasers
Semiconductor epitaxial layers
X-ray diffraction
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
收藏
  |  
浏览/下载:66/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
  |  
浏览/下载:218/56
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Yang, JK
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2010/03/08
HVPE
GaN
sapphire
nonpolar
semipolar
Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: art.no.176005
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/03/29
SAPPHIRE
Temperature and pressure dependences of the copper-related green emission in ZnO microrods
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: art.no.013107
Su FH (Su F. H.)
;
Liu YF (Liu Y. F.)
;
Chen W (Chen W.)
;
Wang WJ (Wang W. J.)
;
Ding K (Ding K.)
;
Li GH (Li G. H.)
;
Joly AG (Joly A. G.)
;
McCready DE (McCready D. E.)
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2010/04/11
ZINC-OXIDE
OPTICAL-PROPERTIES
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
IMPURITIES
NANOWIRES
SAPPHIRE
GROWTH
BAND
CU
A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120
作者:
Han PD
收藏
  |  
浏览/下载:79/8
  |  
提交时间:2010/08/12
computer simulation
crystal morphology
atomic force microscopy
nitrides
AIN BUFFER LAYER
SAPPHIRE
Statistical investigation on morphology development of gallium nitride in initial growth stage
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 77-84
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Chen Z
;
Han P
;
Wang XH
;
Wang D
收藏
  |  
浏览/下载:76/3
  |  
提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
crystal morphology
organic vapor phase epitaxy
nitrides
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GAN
SAPPHIRE
ALN
EPITAXY
MOVPE
Quasi-thermodynamic analysis of movpe of algan
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 73-78
作者:
Lu, DC
;
Duan, S
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Algan
Thermodynamic
Movpe
Aluminium content
Quasi-thermodynamic analysis of MOVPE of AlGaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 73-78
Lu DC
;
Duan S
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
AlGaN
thermodynamic
MOVPE
aluminium content
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
NITRIDE
REGION
ALLOYS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace