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上海微系统与信息技... [90]
内容类型
期刊论文 [86]
学位论文 [4]
发表日期
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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GaInP-AlInP-GaAs Blue Photovoltaic Detectors With Narrow Response Wavelength Width
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 944-946
Zhang, YG(张永刚)
;
Li, C
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Li, HSBY
;
Shao, XM
;
Fang, JX
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
GAS-SOURCE MBE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Horizontally aligned single-walled carbon nanotubes can bridge wide trenches and climb high steps
期刊论文
CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL, 2010, 卷号: 157, 期号: 2-3, 页码: 590-597
Rao, FB
;
Zhou, YX
;
Li, TE
;
Wang, YL
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2011/12/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
R-PLANE SAPPHIRE
GROWTH-MECHANISM
LARGE-SCALE
LONG
TRANSISTORS
ARRAYS
CATALYSTS
SENSORS
InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 77304-77304
Gu, Y
;
Wang, K
;
Li, YY
;
Li, C
;
Zhang, YG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
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提交时间:2011/11/03
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PERFORMANCE
GASB
MBE
Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 173-176
Li, C
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Wang, K
;
Gu, Y
;
Li, HSBY
;
Li, YY
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHOTODIODES
WAVELENGTH
BUFFER
LAYERS
MOCVD
CAP
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR
期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887
Zhang, B
;
Chen, J
;
Wang, X
;
Wu, AM
;
Luo, JX
;
Wang, X
;
Zhang, MA
;
Wu, YX
;
Zhu, JJ
;
Yang, H
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2011/11/04
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SI(111)
FILMS
REDUCTION
GROWTH
SUBSTRATE
STRESS
Exciton localization effect in Mn-implanted GaN by photoluminescence measurements
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 404, 期号: 8-11, 页码: 1222-1225
Meng, XY
;
Zhang, YH
;
Shen, WZ
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MAGNETIC-PROPERTIES
THIN-FILMS
POTENTIAL FLUCTUATIONS
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
TRANSITIONS
EPILAYERS
LAYERS
LEVEL
Wavelength extended InGaAs/InAlAs/InP photodetectors using n-on-p configuration optimized for back illumination
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 52-56
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Tian, ZB
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Wang, K
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
DARK CURRENT
INGAAS PHOTODETECTORS
INFRARED DETECTORS
PHOTODIODES
EFFICIENCY
BUFFER
MOCVD
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 64211-64211
Chen, T
;
Hong, T
;
Pan, JQ
;
Chen, WX
;
Cheng, YB
;
Wang, Y
;
Ma, XB
;
Liu, WL
;
Zhao, LJ
;
Ran, GZ
;
Wang, W
;
Qin, GG
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
The synthesis and fabrication of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes suspended across wide trenches for infrared detecting application
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2009, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 55501-55501
Rao, FB
;
Liu, X
;
Li, T
;
Zhou, YX
;
Wang, YL
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2011/12/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TRANSISTORS
GROWTH
PHOTOCONDUCTIVITY
SENSOR
SAPPHIRE
CIRCUITS
CONTACTS
HYDROGEN
ARRAYS
Wavelength extended 2.4 mu m heterojunction InGaAs photodiodes with InAlAs cap and linearly graded buffer layers suitable for both front and back illuminations
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 316-321
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Tian, ZB
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Zheng, YL
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAS-SOURCE MBE
DARK CURRENT
PHOTODETECTORS
DETECTORS
MOCVD
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