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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 CIS单粒子效应机理及模拟试验方法 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者:  蔡毓龙 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2021/08/27 CMOS图像传感器  单粒子效应  空间辐射效应  Geant4   背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  张翔 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/11/19 背照式CMOS 图像传感器  总剂量效应  位移损伤效应   Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 8, 页码: 1861-1868 作者:  Cai, YL (Cai, Yulong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen, Lin)[ 3 ];  Li, YD (Li, Yudong)[ 3 ];  Guo, Q (Guo, Qi)[ 3 ];  Zhou, D (Zhou, Dong)[ 3 ] 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/09/09 Complementary metal-oxide-semiconductor  (CMOS) image sensors (CIS)  heavy ions  pulsed laser  single-event latchup (SEL)  single-event transient (SET)   Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors 期刊论文 RESULTS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 1-7 作者:  Liu, BK (Liu, Bingkai)[ 1,2,3 ];  Li, YD (Li, Yudong)[ 1,2 ];  Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ];  Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ];  Feng, J (Feng, Jie)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/03/19 Backside illuminated CMOS image sensor  Random telegraph signal  Radiation effects  Proton irradiation  Theoretical calculation   CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展 期刊论文 核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-58 作者:  蔡毓龙;  李豫东;  文林;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/03/13 CMOS图像传感器  单粒子效应  抗辐射加固技术  空间辐射   CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018 作者:  王田晖 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/06 Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号   3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：193/0  |  提交时间：2016/09/27 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固