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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015 Xu, Hao; Sun, Lei; Zhang, Yi-Bo; Han, Jing-Wen; Wang, Yi; Zhang, Sheng-Dong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 HIGH-KAPPA GATE  SCHOTTKY SOURCE/DRAIN  METAL GATE  MOBILITY  CONTACTS  SI  TECHNOLOGY  TRANSISTOR  SUBSTRATE  PMOSFETS   New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain 其他 2015-01-01 Xu, Hao; Sun, Lei; Zhang, Yi-Bo; Han, Jing-Wen; Wang, Yi; Zhang, Sheng-Dong 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/04 HIGH-KAPPA GATE  SCHOTTKY SOURCE/DRAIN  METAL GATE  MOBILITY  CONTACTS  SI  TECHNOLOGY  TRANSISTOR  SUBSTRATE  PMOSFETS   Morphology and Electrical Performance Improvement of NiGe/Ge Contact by P and Sb Co-implantation 期刊论文 ieee electron device letters, 2013 Li, Zhiqiang; An, Xia; Li, Min; Yun, Quanxin; Lin, Meng; Li, Ming; Zhang, Xing; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Antimony  Ge MOSFET  NiGe  thermal stability  THERMAL-STABILITY  GERMANIUM  GE  SUBSTRATE  MOSFETS  ALLOY  SI   3D Monte Carlo Simulation of Gate-All-Around Germanium nMOSFET 其他 2011-01-01 Zhu, Shufang; Wei, Kangliang; Du, Gang; Liu, Xiaoyan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 effective potential method  Gate-All-Around mosfet  Germanium  Nanowire  3D full band Monte Carlo simulation   Effect of interface roughness on the carrier transport in germanium MOSFETs investigated by Monte Carlo method 期刊论文 chinese physics b, 2010 Du Gang; Liu Xiao-Yan; Xia Zhi-Liang; Yang Jing-Feng; Han Ru-Qi 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 carrier transport  interface scattering  germanium MOSFETs  Monte Carlo  QUANTUM BOLTZMANN-EQUATION  IMPACT-IONIZATION MODEL  ELECTRON-TRANSPORT  SIMULATION  GE  MOBILITY  CHANNEL  SI  SEMICONDUCTORS  UNIVERSALITY   Carrier effective mobilities in germanium MOSFET inversion layer investigated by Monte Carlo simulation 期刊论文 固体电子学, 2005 Xia, XL; Du, G; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 effective mobility  germanium  Monte Carlo  ELECTRON-TRANSPORT  N-CHANNEL  SEMICONDUCTORS  UNIVERSALITY  GATE   Evaluations of scaling properties for Ge on insulator MOSFETs in nano-scale 其他 2005-01-01 Du, G; Liu, XY; Xia, ZL; Wang, YK; Hou, DQ; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 germanium MOSFET  nano-scale  scaling properties  Monte Carlo  MONTE-CARLO-SIMULATION  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT