×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [7]
厦门大学 [6]
上海微系统与信息技术... [2]
湖南大学 [2]
内容类型
期刊论文 [10]
学位论文 [4]
其他 [3]
发表日期
2019 [2]
2016 [2]
2015 [2]
2014 [2]
2013 [1]
2012 [2]
更多...
学科主题
Materials ... [1]
Physics, A... [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共17条，第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
High mobility Ge pMOSFETs with amorphous Si passivation: impact of surface orientation
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: Vol.14
作者:
Liu, Huan
;
Han, Genquan
;
Liu, Yan
;
Tang, Xiaosheng
;
Yang, Jingchen
收藏
|
浏览/下载：10/0
|
提交时间：2019/12/13
Germanium
MOSFET
Amorphous Si passivation
Mobility
Surface orientation
High mobility Ge pMOSFETs with amorphous Si passivation: impact of surface orientation
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1
作者:
Huan Liu
;
Genquan Han
;
Yan Liu
;
Xiaosheng Tang
;
Jingchen Yang
收藏
|
浏览/下载：6/0
|
提交时间：2019/12/13
Germanium
MOSFET
Amorphous
Si
passivation
Mobility
Surface
orientation
远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究
学位论文
2016, 2016
池晓伟
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2017/06/20
远程等离子体辅助原子层沉积
HfO2/Ge界面
N2等离子体预处理
Remote plasma Atomic Layer deposition
HfO2/Ge interface
N2 plasma pretreatment
半导体Ge结技术研究及Ge横向PIN结光电探测器设计
学位论文
2016, 2015
魏江镔
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2017/06/20
锗
肖特基结
n+p结
Ge光电探测器
Ge
Schottky junction
n+p junction
Ge photodetector
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2017/12/03
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
其他
2015-01-01
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：5/0
|
提交时间：2017/12/04
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析
学位论文
2014, 2014
张茂添
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2016/01/12
HfO2/Ge，肖特基势垒，掺杂浓度，开态电流，关态电流，迁移率
HfO2/Ge, Schottky barrier, doping concentration, on-state current, off-state current, mobility
Germanium n+/p shallow junction with record rectification ratio formed by low-temperature preannealing and excimer laser annealing
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1109/TED.2014.2332461, 2014
Wang, Chen
;
Li, Cheng
;
Lin, Guangyang
;
Lu, Weifang
;
Wei, Jiangbin
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
Di, Zengfeng
;
Zhang, Miao
;
李成
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
|
浏览/下载：3/0
|
提交时间：2015/07/22
Annealing
Excimer lasers
MOSFET devices
Phosphorus
Temperature
Morphology and Electrical Performance Improvement of NiGe/Ge Contact by P and Sb Co-implantation
期刊论文
ieee electron device letters, 2013
Li, Zhiqiang
;
An, Xia
;
Li, Min
;
Yun, Quanxin
;
Lin, Meng
;
Li, Ming
;
Zhang, Xing
;
Huang, Ru
收藏
|
浏览/下载：3/0
|
提交时间：2015/11/10
Antimony
Ge MOSFET
NiGe
thermal stability
THERMAL-STABILITY
GERMANIUM
GE
SUBSTRATE
MOSFETS
ALLOY
SI
超薄氧化锗制备、性质及退火对HfO2/GeO2/Ge MOS结构的影响
学位论文
2012, 2012
路长宝
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2016/02/14
界面钝化
超薄氧化锗
退火
MOSFET
interface passivation
ultra-thin germanium oxide
annealing
MOSFET
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace
