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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2002 [1]
1998 [3]
1992 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
光电子学 [1]
半导体化学 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:
Shi K
;
Jiao CM
;
Song HP
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浏览/下载:94/7
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提交时间:2011/07/05
Valence band offset
GaN/diamond heterojunction
XPS
Conduction band offset
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ALGAN/GAN HEMTS
DIAMOND
GAN
FILMS
High Al-content AlInGaN epilayers with different thicknesses grown on GaN/sapphire templates
期刊论文
applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3350-3353 part 2
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Wu CM
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/08
XPS
Excitonic photoluminescence properties of nanocrystalline GaSb and Ga0.62In0.38Sb embedded in silica films
期刊论文
journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 273-281
Liu FM
;
Wang TM
;
Zhang LD
;
Li GH
;
Han HX
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nanocrystals
photoluminescence
quantum confinement
GaSb
Ga0.62In0.38Sb
LIQUID-PHASE EPITAXY
X-RAY PHOTOELECTRON
GALLIUM ANTIMONIDE
COMPOSITE FILMS
QUANTUM DOTS
RAMAN
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
SPECTRA
MATRIX
Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137
Wu Z
;
Huang D
;
Yang X
;
Wang J
;
Qin F
;
Zhang J
;
Yang Z
收藏
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SPECTROSCOPY
ENERGY
A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401
Wu ZL
;
Huang DD
;
Yang XZ
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
X-RAY PHOTOELECTRON
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
SPECTROSCOPY
SURFACES
SI(111)
OXIDES
LAYERS
SI
Mechanism of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 139-143
Yang X
;
Wu Z
;
Zhao J
;
Wang H
;
Huang D
;
Qin F
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
SPECTROSCOPY
THE ADSORPTION OF O2 ON FESI SURFACES
期刊论文
surface science, 1992, 卷号: 269, 期号: 0, 页码: 1022-1031
HSU CC
;
DING SA
;
MA MS
;
WU JX
;
LIU XM
;
JI MR
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
METAL-SILICIDES
OXIDATION
OXYGEN
GROWTH
TRACER
EELS
XPS
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