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무기 본딩 디바이스들 및 구조체들 专利
专利号: KR1020190077487A, 申请日期: 2019-07-03, 公开日期: 2019-07-03
作者: 캄라스, 마이클; 바르드와즈, 죠티; 슈미트, 피터, 제이.; 반 데르 빈, 닐스, 제런

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脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法 专利
专利号: CN106505408B, 申请日期: 2019-02-15, 公开日期: 2019-02-15
作者: 王瑾; 郑新和; 刘三姐; 侯彩霞; 何荧峰

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一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者: 王桂磊; 李俊峰; 刘金彪; 赵超

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一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 专利
专利号: CN201610424181.X, 申请日期: 2018-10-16, 公开日期: 2016-10-12
作者: 丁玉强; 杜立永; 张羽翔; 赵超; 项金娟

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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410360690.1, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-17
作者: 王桂磊; 李俊峰; 赵超

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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410360703.5, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-03-16
作者: 王桂磊; 李俊峰; 赵超

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一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201410141701.7, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-10-14
作者: 王桂磊; 赵超; 徐强; 陈韬; 杨涛

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一种半导体激光器材料钝化方法 专利
专利号: CN108288816A, 申请日期: 2018-07-17, 公开日期: 2018-07-17
作者: 魏志鹏; 方铉; 唐吉龙; 贾慧民; 房丹

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基于氮的施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法 专利
专利号: CN201210531536.7, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2014-06-18
作者: 张阳; 卢维尔; 夏洋; 李超波; 解婧

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一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410089112.9, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2015-09-16
作者: 徐强; 王桂磊; 赵超; 杨涛

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