半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	王桂磊; 李俊峰; 赵超
	2018-07-31
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410360703.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种半导体器件制造方法，包括：步骤1，在NMOS器件中形成栅极开口；步骤2，在栅极开口中沉积高K材料的栅极绝缘层以及金属材料的栅极导电层；步骤3，在栅极开口中、栅极导电层上，采用ALD法沉积成核层；步骤4，在栅极开口中、成核层上，采用CVD法沉积栅极接触层。依照本发明的半导体器件制造方法，通过合理调整金属栅极沉积工艺，在保证金属栅极填充率高的前提下减小金属栅极对于NMOS器件垂直于沟道区方向的张应力，有效避免了器件载流子迁移率的退化，提高了器件驱动性能。
公开日期	2016-03-16
申请日期	2014-07-25
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18819]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王桂磊,李俊峰,赵超. 半导体器件制造方法. CN201410360703.5. 2018-07-31.