一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法

	一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法
	丁玉强 1; 杜立永 1; 张羽翔 1; 赵超2 ; 项金娟2
	2018-10-16
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 江南大学
专利号	CN201610424181.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法，包括以下步骤：A)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源进行沉积，得到沉积有Ni源的衬底，所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物；B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Ni源进行还原，得到沉积有Ni薄膜的衬底。本发明采用了具有式I结构的Ni源，将其应用在单原子层沉积技术(ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的含Ni沉积层。并且，采用本发明中的方法制得的Ni膜电阻率更低，实验结果表明，本发明制得的Ni薄膜电阻率在13～24μΩ·cm。
公开日期	2016-10-12
申请日期	2016-06-15
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18878]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	1.江南大学 2.中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	丁玉强,杜立永,张羽翔,等. 一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法. CN201610424181.X. 2018-10-16.