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| 一种边射型半导体激光器芯片结构 专利
专利号: CN209233160U, 申请日期: 2019-08-09, 公开日期: 2019-08-09
作者: 师宇晨; 王兴; 罗俊岗; 张西璐; 刘虎强
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| 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21
作者: 芦鹏飞; 王凯林; 陆瑾; 张凡; 张丽
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| 调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法 专利
专利号: CN105932543B, 申请日期: 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17
作者: 吴瑞华
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| 砷化镓激光巴条 专利
专利号: CN207588214U, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2018-07-06
作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉
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| 一种高功率半导体激光器结构 专利
专利号: CN207218000U, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者: 韦欣; 徐建人
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| 砷化镓激光巴条及其制备方法 专利
专利号: CN107732650A, 申请日期: 2018-02-23, 公开日期: 2018-02-23
作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉
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| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611129480.7, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2017-02-22
作者: 刘新宇 ; 金智; 戴小宛; 桂羊羊; 孙恒超
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| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611130606.2, 申请日期: 2018-02-02, 公开日期: 2017-02-15
作者: 戴小宛; 贾锐; 孙恒超; 金智; 刘新宇
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| 抑制GaAs基激光器高阶模的方法 专利
专利号: CN104300367B, 申请日期: 2017-09-26, 公开日期: 2017-09-26
作者: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平
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| 一种p型氧化锌薄膜的激光组件 专利
专利号: CN105161978A, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2015-12-16
作者: 龙腾
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