| 砷化镓激光巴条及其制备方法 | |
| 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉; 贾志刚; 王琳 | |
| 2018-02-23 | |
| 著作权人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 专利号 | CN107732650A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 砷化镓激光巴条及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种砷化镓激光巴条及其制备方法，属于半导体激光器领域。包括：由下至上依次包括GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、n‑AlGaAs限制层、n‑AlGaAs波导层、有源区层、p‑AlGaAs波导层、p‑AlGaAs限制层、p‑GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层的外延片；多个从p‑GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道；设于p‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于p型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的p电极层和GaAs衬底背面的n电极层；蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，硅薄膜为在温度为100～150℃条件下以/秒的生长速度蒸镀后，对硅薄膜循环退火3‑5次形成的，循环退火时低温为100～150℃高温为400～500℃；蒸镀于硅薄膜外侧的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。本发明提高了激光器的抗光学灾变能力。 |
| 公开日期 | 2018-02-23 |
| 申请日期 | 2017-11-08 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56648]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董海亮,米洪龙,梁建,等. 砷化镓激光巴条及其制备方法. CN107732650A. 2018-02-23. |
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