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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
2002 [2]
2001 [2]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:
Zhang XW
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ENERGY-GAP
100 GAAS
INASSB
INAS1-XSBX
ALLOYS
INSB
TRANSPORT
LAYERS
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003
作者:
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
GAAS1-XNX
PHOTOLUMINESCENCE
RELAXATION
Optical study of electronic states in GaAsN
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Luo XD
;
Yang CL
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE
QUANTUM-WELL
ALLOYS
RELAXATION
GAAS1-XNX
Microstructure of a-SiOx : H
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen WD
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
a-SiOx : H
microstructure
bonding configuration
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
ELECTRONIC-PROPERTIES
SIO2/SI INTERFACE
OXYGEN
FILMS
VIBRATIONS
ALLOYS
SYSTEM
Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:104/6
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INGAASN
LASER
OPERATION
ALLOYS
GROWTH
GAAS
Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960
Luo XD
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
收藏
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浏览/下载:124/4
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BAND-GAP ENERGY
TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE
MECHANISM
GANXAS1-X
EMISSION
NITROGEN
ALLOYS
SHIFT
GANAS
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
GaNAs
photoluminescence
band offset
band bowing coefficient
localized exciton
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
TEMPERATURE
GAASN
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