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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [9]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2006 [1]
2003 [2]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Formation of shallow acceptors in ZnO doped by lithium with the addition of nitrogen
期刊论文
journal of physics and chemistry of solids, 2011, 卷号: 72, 期号: 6, 页码: 725-729
Gai, Yanqin
;
Tang, Gang
;
Li, Jingbo
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2012/06/14
Activation energy
Binding energy
Calculations
Complexation
Doping(additives)
Electronic structure
Zinc
Zinc oxide
Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704
Tang LM (Tang Li-Ming)
;
Wang LL (Wang Ling-Ling)
;
Wang D (Wang Dan)
;
Liu JZ (Liu Jian-Zhe)
;
Chen KQ (Chen Ke-Qiu)
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/05/24
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
FILMS
ZNSE
ZNTE
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs
期刊论文
physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505
Li J
;
Carrier P
;
Wei SH
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/04/11
DILUTED GANXAS1-X ALLOYS
GROUP-IV DONORS
SEMICONDUCTOR ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
BAND
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
HYDROGEN
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
期刊论文
microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
neutron irradiation
annealing
defects in silicon
SPECTRA
Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932
Deng AH
;
Mascher P
;
Zhao YW
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
UNDOPED SEMIINSULATING INP
LOW FE CONTENT
POSITRON-LIFETIME
PHASE EPITAXY
PRESSURE
VACANCY
INDIUM
ANNIHILATION
PHOSPHIDE
WAFERS
Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n-type liquid encapsulated Czochralski InP
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 9, 页码: 1275-1277
Fung S
;
Zhao YW
;
Beling CD
;
Xu XL
;
Gong M
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Chen XD
;
Zhang RG
;
Liu SL
;
Yang GY
;
Qian JJ
;
Sun MF
;
Liu XL
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
SEMICONDUCTORS
HYDROGEN
DEFECTS
MECHANISM
Correlation of electrical and optical properties in dually Cd+ and N+ ion-implanted GaAs
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1997, 卷号: 127, 期号: 0, 页码: 451-455
Kotani M
;
Makita Y
;
Kawasumi Y
;
Kimura S
;
Jiang DS
;
Shima T
;
Iida T
;
Kobayashi N
;
Tsukamoto T
;
Koura N
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/17
LITHIUM PASSIVATION OF ZN AND CD ACCEPTORS IN P-TYPE GAAS
期刊论文
physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 16, 页码: 12345-12348
YANG BH
;
GISLASON HP
;
LINNARSSON M
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/15
HYDROGEN PASSIVATION
SILICON
NEUTRALIZATION
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