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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE   The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422 Wang YQ; Chen CY; Chen WD; Yang FH; Diao HW 收藏  |  浏览/下载：82/6  |  提交时间：2010/08/12 a-Si : O : H  nc-Si  microstructure  annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS SIO2  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON   Effect of rapid thermal annealing on GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 9, 页码: 1280-1282 Pan Z; Li LH; Zhang W; Lin YW; Wu RH; Ge W 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LASER  OPERATION  GAAS   Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938 Li XB; Sun DZ; Zhang JP; Kong MY; Yoon SF 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  LAYERS  GAAS  HYDROGEN  FILMS   INTERFACIAL REACTIONS IN THE CO/SI/GAAS AND SI/CO/GAAS SYSTEMS 期刊论文 journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1992, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 1020-1028 HSU CC; JIN GL; HO J; CHEN WD 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 THIN-FILMS  GAAS  CO  SI