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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [13]
会议论文 [1]
发表日期
2014 [2]
2010 [1]
2006 [2]
2003 [1]
2002 [2]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [14]
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共14条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Origin of the failed ensemble average rule for the band gaps of disordered nonisovalent semiconductor alloys
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: 115201
Ma, J
;
Deng, HX
;
Luo, JW
;
Wei, SH
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2015/03/25
Coexistence and decoupling of bulk and edge states in disordered two-dimensional topological insulators
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 5, 页码: 054205
Zhang, YY
;
Shen, M
;
An, XT
;
Sun, QF
;
Xie, XC
;
Chang, K
;
Li, SS
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/03/25
Accurate determination of electronic transition energy of carbon nanotubes from the resonant behavior of radial breathing modes and their overtones
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 7966-7973
Zhang J (Zhang Jun)
;
Tan PH (Tan Ping-Heng)
;
Zhao WJ (Zhao Wei-Jie)
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/12/27
single walled carbon nanotubes
radial breathing modes
resonant Raman scattering
electronic transition energy
STOKES-RAMAN SCATTERING
VIBRATIONAL-MODES
GRAPHITE
DIAMETER
SPECTRA
Photon localization and lasing in disordered GaNxAs1-x optical superlattices
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 19, 页码: art.no.195112
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
RANDOM LASER
SCATTERING
MEDIA
LIGHT
ABSORPTION
CAVITIES
GAIN
Quantum measurement of an electron in a disordered potential: Delocalization versus measurement voltages
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 3, 页码: art.no.035320
Hu XN
;
Li XQ
收藏
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2010/04/11
DOT
DIFFUSION
DETECTOR
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/10/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
BAND
Partially coherent tunneling through a series of barriers: Inelastic scattering versus pure dephasing
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 15, 页码: art.no.155326
Li XQ
;
Yan Y
收藏
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浏览/下载:68/6
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提交时间:2010/08/12
SHOT-NOISE
ELECTRON-TRANSPORT
MESOSCOPIC SYSTEMS
DISORDERED CHAIN
CONDUCTORS
DISSIPATION
RESISTANCE
Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960
Luo XD
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
收藏
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浏览/下载:124/4
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BAND-GAP ENERGY
TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE
MECHANISM
GANXAS1-X
EMISSION
NITROGEN
ALLOYS
SHIFT
GANAS
Photoluminescence properties of SiGe/Si single wells with fluctuating structural parameters
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 1998, 卷号: 31, 期号: 23, 页码: l85-l87
Liu JP
;
Kong MY
;
Si JJ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
DISORDERED SUPERLATTICES
LAYERS
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