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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802 Ruan J; Yu TJ; Jia CY; Tao RC; Wang ZG; Zhang GY 收藏  |  浏览/下载：87/2  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL LASERS  OPTICAL GAIN  EMISSION  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SPECTRA  ORIGIN  ENERGY   Growth and photoluminescence of epitaxial CeO2 film on Si (111) substrate 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 443-444 Gao F; Li GH; Zhang JH; Qin FG; Yao ZY; Liu ZK; Wang ZG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：105/9  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  THIN-FILMS  DEPOSITION  EMISSION  LAYERS   Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2001, 卷号: 223, 期号: 1, 页码: 157-162 Li GH; Chen Y; Fung ZL; Ding K; Han HX; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2010/08/12 HYDROSTATIC-PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  LUMINESCENCE  GROWTH  INSB  GASB   Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 会议论文 9th international conference on high pressure semiconductor physics (hpsp9), sapporo, japan, sep 24-28, 2000 Li GH; Chen Y; Fung ZL; Ding K; Han HX; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 HYDROSTATIC-PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  LUMINESCENCE  GROWTH  INSB  GASB   Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films 期刊论文 solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157 Wang LS; Fong WK; Surya C; Cheah KW; Zheng WH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：73/5  |  提交时间：2010/08/12 p-type GaN  metalorganic chemical vapor deposition  photoluminescence  X-ray diffraction  rapid-thermal annealing  P-TYPE GAN  RECOMBINATION  EMISSION  ENERGY  BANDS   Influence of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) cap layer on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2000, 卷号: 39, 期号: 9a, 页码: 5076-5079 Wang XD; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  strain-reduction  molecular beam epitaxy (MBE)  red shift  photoluminescence  1.3 MU-M  INGAAS  ENERGY   Effect of growth interruption on the optical properties of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 solid state communications, 1999, 卷号: 109, 期号: 10, 页码: 649-653 Lu ZD; Xu JZ; Zheng BZ; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductors  optical properties  luminescence  CONFIGURATION  LUMINESCENCE  WELLS  TIME