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Tunable Schottky Barrier at MoSe2/Metal Interfaces with a Buffer Layer 期刊论文
The Journal of Physical Chemistry C, 2017, 卷号: 121, 页码: 9305−9311
作者:  Le Huang;  Bo Li;  Mianzeng Zhong;  Zhongming Wei;  Jingbo Li
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Dynamics of dense spin ensemble excited in a barrier layer and detected in a well 期刊论文
science china-physics mechanics & astronomy, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 1108-1111
作者:  Zhu H;  Wang LG
收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2011/07/05
Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser 期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108
Zhu YH (Zhu Yuan-Hui); Xu Q (Xu Qiang); Fan WJ (Fan Wei-Jun); Wang JW (Wang Jian-Wei)
收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2010/05/07
ALLOYS  GE  
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08
Size distributions of quantum islands on stepped substrates 期刊论文
journal of chemical physics, 2009, 卷号: 131, 期号: 15, 页码: art.no.154704
Liang S (Liang, S.); Zhu HL (Zhu, H. L.); Wang W (Wang, W.)
收藏  |  浏览/下载：305/92  |  提交时间：2010/03/08
Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:  Zhang ML
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An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 058501
作者:  Yang H;  Wang H;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Wang H
收藏  |  浏览/下载：196/36  |  提交时间：2010/03/08
Theory of huge tunneling magnetoresistance in graphene 期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 11, 页码: art. no. 113409
Zhai F; Chang K
收藏  |  浏览/下载：61/29  |  提交时间：2010/03/08
The influence of Schottky contact metals on the strain of AlGaN barrier layers 期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: art. no. 044503
Lin, ZJ; Zhao, JZ; Corrigan, TD; Wang, Z; You, ZD; Wang, ZG; Lu, W
收藏  |  浏览/下载：51/2  |  提交时间：2010/03/08
Voltage tunable two-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector 期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 013502
作者:  Yang T;  Ma WQ
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