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半导体研究所 [9]

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半导体材料 [9]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者: Deng QW 收藏 \| 浏览/下载：47/5 \| 提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE YELLOW LUMINESCENCE DEEP LEVELS TRAP PERFORMANCE FREQUENCY EPILAYERS ORIGIN DIODES
	Magnetic coupling properties of mn-doped ZnO nanowires: First-principles calculations 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 7, 页码: art. no. 073903 Shi, H; Duan, Y 收藏 \| 浏览/下载：44/2 \| 提交时间：2010/03/08 HIGH CURIE-TEMPERATURE SPINODAL-DECOMPOSITION ROOM-TEMPERATURE 1ST PRINCIPLES THIN-FILMS SEMICONDUCTORS FERROMAGNETISM STABILIZATION GROWTH PHASE
	Self-consistent analysis of double-delta-doped InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2735-2741 Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2010/04/11 two-dimensional electron gas high electron mobility transistor self-consistent calculation InAlAs/InGaAs heterostructure CHARGE CONTROL MODEL ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS PSEUDOMORPHIC INGAAS HEMT FIELD-EFFECT TRANSISTOR QUANTUM-WELL ALGAAS/INGAAS PHEMTS GATE RECESS HIGH-SPEED HETEROJUNCTION CHANNEL
	The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543 作者: Zhang JY; Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：81/0 \| 提交时间：2010/08/12 photoluminescence metalorganic chemical vapor deposition epilayer semiconducting II-VI materials MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAP
	The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者: Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/08/12 photoluminescence molecular beam epitaxy quantum wells III-V semiconductors MOLECULAR-BEAM EPITAXY SINGLE-QUANTUM-WELL LUMINESCENCE GAAS LOCALIZATION BEHAVIOR LAYER
	Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522 Wei X; Wang GH; Zhang GZ; Zhu XP; Ma XY; Chen LH 收藏 \| 浏览/下载：83/2 \| 提交时间：2010/08/12 high resolution X-ray diffraction precursor metalorganic chemical vapor depositions gallium compounds LASER-DIODES SOLAR-CELLS BAND-GAP GAINNAS DIMETHYLHYDRAZINE GROWTH PYROLYSIS EPITAXY
	Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103 Xu HZ; Bell A; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏 \| 浏览/下载：54/0 \| 提交时间：2010/08/12 gallium nitride metalorganic vapor-phase epitaxy photoluminescence yellow luminescence N-TYPE GAN PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY THIN-FILMS DOPED GAN DEEP LEVELS ORIGIN PHOTOLUMINESCENCE DEPENDENCE VACANCIES EPITAXY
	Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267 Zhu QS; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏 \| 浏览/下载：64/0 \| 提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN DEEP LEVELS
	Magnetospectroscopy of bound phonons in high purity GaAs 期刊论文 physical review letters, 1997, 卷号: 79, 期号: 6, 页码: 1078-1081 Chen ZH; Liu PL; Lu W; Chen ZH; Shi XH; Shi GL; Shen SC; Yang B; Wang ZG; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2010/11/17 CYCLOTRON-RESONANCE ELECTRON-PHONON STATES

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