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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112 作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：94/7  |  提交时间：2011/07/05 Valence band offset  GaN/diamond heterojunction  XPS  Conduction band offset  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ALGAN/GAN HEMTS  DIAMOND  GAN  FILMS   Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix 会议论文 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Chen WD; Wang YQ; Chen CY; Diao HW; Liao XB; Kong GL; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/10/29 PHOTOLUMINESCENCE  LUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  DEPOSITION   Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137 Wu Z; Huang D; Yang X; Wang J; Qin F; Zhang J; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  ENERGY   A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401 Wu ZL; Huang DD; Yang XZ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY PHOTOELECTRON  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SPECTROSCOPY  SURFACES  SI(111)  OXIDES  LAYERS  SI   Mechanism of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 139-143 Yang X; Wu Z; Zhao J; Wang H; Huang D; Qin F 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY   THE ADSORPTION OF O2 ON FESI SURFACES 期刊论文 surface science, 1992, 卷号: 269, 期号: 0, 页码: 1022-1031 HSU CC; DING SA; MA MS; WU JX; LIU XM; JI MR 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 METAL-SILICIDES  OXIDATION  OXYGEN  GROWTH  TRACER  EELS  XPS