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科研机构
半导体研究所 [20]
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期刊论文 [15]
会议论文 [5]
发表日期
2006 [4]
2005 [2]
2004 [1]
2003 [2]
2002 [1]
2000 [4]
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学科主题
半导体材料 [20]
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共20条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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95
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提交时间降序
Research on the band-gap of InN grown on siticon substrates
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Xiao, HL
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Zhang, NH
;
Liu, HX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
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浏览/下载:100/15
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
WURTZITE INN
NITRIDE
ABSORPTION
ALLOYS
FILMS
Growth and properties of magnetron cosputtering grown Mn(x)Ge(1-x)on Si(001)
期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 3, 页码: 126-128
作者:
Yin ZG
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/04/11
magnetron sputtering
MnxGe1-x
ferromagnetism
N-TYPE GE
FERROMAGNETISM
SEMICONDUCTOR
SPINTRONICS
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/04/11
SEMICONDUCTOR-DEVICES
TRANSPORT
STATES
BISTABILITY
VOLTAGE
LASERS
DIODE
Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots
期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 606-610
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:100/0
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提交时间:2010/04/11
nanostructures
semiconductors
optical properties
luminescence
WAVELENGTH
NANOSTRUCTURES
INTERBAND
LASERS
Structural, magnetic properties and photoemission study of Ni-doped ZnO
期刊论文
solid state communications, 2005, 卷号: 135, 期号: 7, 页码: 430-433
作者:
Yin ZG
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浏览/下载:31/12
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提交时间:2010/03/17
diluted magnetic semiconductors
Phase-separation suppression in GaN-rich side of GaNP alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 1, 页码: 141-144
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi, Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
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浏览/下载:119/41
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Hetero-epitaxial growth of ZnO films on silicon by low-pressure metal organic chemical vapor deposition
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Wang, QY
;
Shen, WJ
;
Wang, J
;
Wang, JH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:195/31
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提交时间:2010/03/29
ULTRAVIOLET-LASER EMISSION
THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
ROOM-TEMPERATURE
GaN1-xPx ternary alloys with high P composition grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 255, 期号: 1-2, 页码: 52-56
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:471/1
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN-RICH SIDE
RADICAL CELL
III-V
Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Ye ZZ
;
Ma DW
;
He JH
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Luo XD
;
Xu ZY
收藏
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浏览/下载:488/1
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提交时间:2010/08/12
characterization
crystal structure
DC sputtering
alloys
zinc compounds
semiconducting II-VI materials
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
ULTRAVIOLET-LASER
SPRAY-PYROLYSIS
ZNO
MGXZN1-XO
EMISSION
ALLOY
Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84
作者:
Han PD
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浏览/下载:75/5
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提交时间:2010/08/12
substrates
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
INTERMEDIATE LAYER
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
SAPPHIRE
FILM
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