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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [1]
2003 [2]
2001 [2]
2000 [2]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [8]
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Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:
Wei HY
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
EPILAYERS
LUMINESCENCE
ALINGAN
PHONON
LAYERS
FILMS
ALN
GAN
Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:252/65
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
MOCVD
in situ laser reflectometry
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
IN-SITU
SAPPHIRE SUBSTRATE
NUCLEATION LAYERS
FILMS
Nonlinear optical properties and thermal stability of the poled polymer NTAB/PEK-c
期刊论文
materials letters, 2003, 卷号: 57, 期号: 16-17, 页码: 2612-2615
Pan QW
;
Fang CS
;
Qin ZH
;
Gu QT
;
Cheng XF
;
Xu D
;
Yu JZ
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/08/12
nonlinear optics
thermal stability
polymer thin films
CHROMOPHORE
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 816-819
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:79/6
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
Yu Z
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Huang CJ
;
Lei ZL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
SiGe/Si
epitaxial growth
surface reaction kinetics
UHV/CVD system
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
ATOMIC-HYDROGEN
ADSORPTION
SI(100)
SI2H6
SIH4
MECHANISMS
DESORPTION
PHASE
FILMS
Relaxed GexSi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451
Luo GL
;
Chen PY
;
Lin XF
;
Tsien P
;
Fan TW
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-ELECTRON-MOBILITY
BUFFER LAYER
SI/SIGE HETEROSTRUCTURES
SI
TEMPERATURE
SILANE
FILMS
The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang YT
;
Cheng LS
;
Zhang Z
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
MOVPE growth
Al2O3 coated Si substrate
crystal structure
photoluminescence spectrum
SINGLE CRYSTALLINE GAN
HIGH-QUALITY GAN
INTERMEDIATE LAYER
BUFFER LAYERS
SI
FILMS
ALN
DEPOSITION
SAPPHIRE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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