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半导体研究所 [19]
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2015 [1]
2014 [1]
2013 [3]
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学科主题
半导体材料 [19]
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学科主题:半导体材料
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Tuning of in-plane optical anisotropy by inserting ultra-thin InAs layer at interfaces in (001)-grown GaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 015302
J.L. Yu
;
S.Y. Cheng
;
Y.F. Lai
;
Q. Zheng
;
Y.H. Chen
;
C.G. Tang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/03/23
Spin-orbit coupling effects on the in-plane optical anisotropy of semiconductor quantum wells
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 017806
Yu, JL
;
Chen, YH
;
Lai, YF
;
Cheng, SY
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/05/11
In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically δ-doping in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 8, 页码: 083504- 083504-5
J. L. Yu, Y. H. Chen, X. Bo, C. Y. Jiang, X. L. Ye, S. J. Wu, H. S. Gao
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/02/12
In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically delta-doping in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 8, 页码: 083504
Yu, J. L.
;
Chen, Y. H.
;
Bo, X.
;
Jiang, C. Y.
;
Ye, X. L.
;
Wu, S. J.
;
Gao, H. S.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/17
In-plane optical anisotropy of InAs/GaSb superlattices with alternate interfaces.
期刊论文
nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8, 页码: 298
Shujie Wu, Yonghai Chen, Jinling Yu, Hansong Gao, Chongyun Jiang, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, Yang Wei, Wenquan Ma
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/03/17
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:119/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: art. no. 013516
Yu JL (Yu J. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Jiang CY (Jiang C. Y.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
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浏览/下载:293/18
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提交时间:2010/08/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAIN RELAXATION
GROWTH TEMPERATURE
INTERFACE
ALLOYS
GAAS
HETEROSTRUCTURES
MICROSTRUCTURE
GANXAS1-X
NITROGEN
The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083513
Zhou GY (Zhou G. Y.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Tang CG (Tang C. G.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/12/05
QUANTUM-DOT SYSTEM
ISLAND FORMATION
IN-SITU
EVOLUTION
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
IN-PLANE OPTICAL ANISOTROPY OF STRAINED WURTZITE GaN IN THE A- AND R-PLANES
期刊论文
international journal of modern physics b, 2010, 卷号: 24, 期号: 27, 页码: 5439-5450
作者:
Hao GD
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浏览/下载:49/5
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提交时间:2011/07/05
Strain effect
optical anisotropy
A-plane
R-plane
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
LIGHT-EMITTING-DIODES
LASER-DIODES
POLARIZATION ANISOTROPY
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTORS
Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103108
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
gallium arsenide
III-V semiconductors
internal stresses
reflectivity
semiconductor heterojunctions
semiconductor quantum wells
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