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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Growth and characterization of InN on sapphire substrate by RF-MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 3-4, 页码: 401-406 Xiao, HL; Wang, XL; Wang, JX; Zhang, NH; Liu, HX; Zeng, YP; Li, JM; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/03/17 photoluminescence   The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  metalorganic chemical vapor deposition  epilayer  semiconducting II-VI materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAP   STUDY ON PREPARATION OF GAN AND COSI2 EPITAXIAL-FILMS BY MASS ANALYZED LOW-ENERGY DUAL ION-BEAM EPITAXY 期刊论文 vacuum, 1992, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1059-1060 YAO ZY; QIN FG; REN ZZ; WANG XM; LIU ZK; HUANG DD; LIN LY; LAU WM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 DEPOSITION  SYSTEM  GROWTH  C+