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半导体研究所 [16]
内容类型
期刊论文 [16]
发表日期
2006 [2]
2005 [1]
2004 [2]
2003 [2]
2002 [1]
2001 [1]
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学科主题
半导体材料 [16]
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共16条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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ZnO thin films on Si(111) grown by pulsed laser deposition from metallic Zn target
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 841-845
Zhao J (Zhao Jie)
;
Hu LZ (Hu Lizhong)
;
Wang ZY (Wang Zhaoyang)
;
Sun J (Sun Jie)
;
Wang ZJ (Wang Zhijun)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/04/11
ZnO
pulsed laser deposition
oxygen pressure
annealing
X-ray diffraction
photoluminescence
ULTRAVIOLET EMISSION
ROOM-TEMPERATURE
ZINC-OXIDE
Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427
Shi LW (Shi Liwei)
;
Wang Q (Wang Qiang)
;
Li YG (Li Yuguo)
;
Xue CS (Xue Chengshan)
;
Zhuang HZ (Zhuang Huizhao)
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/04/11
ion implantation
annealing
chemical etching
photoluminescence
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
Influence of rapid thermal annealing on InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 20-27
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:68/18
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提交时间:2010/03/17
annealing
Influence of Mg content on molecular-beam-epitaxy-grown ZnMgS ultraviolet photodetectors
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 28-33
Lu, LW
;
Sou, IK
;
Ge, WK
收藏
  |  
浏览/下载:326/94
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提交时间:2010/03/09
characterization
Amorphous silicon carbide films prepared by H-2 diluted silane-methane plasma
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 7-12
Hu ZH
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Kong GL
;
Zeng XB
;
Xu YY
收藏
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浏览/下载:32/3
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提交时间:2010/03/09
annealing
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:351/16
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提交时间:2010/08/12
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
DEFECTS
DIFFUSION
CRYSTALS
WAFERS
Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance
期刊论文
applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214
作者:
Jin P
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浏览/下载:458/3
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提交时间:2010/08/12
sulfur passivation
Franz-Keldysh oscillations
undoped-n(+) type GaAs
complex Fourier transformation
FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS
GAAS(001) SURFACES
GAAS(100)
PHOTOEMISSION
SPECTROSCOPY
ENHANCEMENT
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 521-524
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:82/19
  |  
提交时间:2010/08/12
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 766-769
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
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浏览/下载:97/14
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提交时间:2010/08/12
annealing
molecular beam epitaxy
germanium silicon alloys
semiconducting materials
STRAIN RELAXATION
Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794
Zhuang QD
;
Li JM
;
Wang XX
;
Zeng YP
;
Wang YT
;
Wang BQ
;
Pan L
;
Wu J
;
Kong MY
;
Lin LY
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
InGaAs/GaAs
quantum dots
superlattice
annealing
X-ray
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INFRARED PHOTODETECTORS
STRAIN RELAXATION
LUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
DEPENDENCE
ABSORPTION
THRESHOLD
OPERATION
ISLANDS
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