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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The correlation between preferred orientation and performance of ITO thin films 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2007, 卷号: 18 suppl.1, 期号: 0, 页码: s411-s414 Chen Y (Chen Yao); Zhou YQ (Zhou Yuqin); Zhang QF (Zhang Qunfang); Zhu MF (Zhu Meifang); Liu FZ (Liu Fengzhen) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/29 ELECTRICAL-PROPERTIES   Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: art.no.176005 作者:  Yang H;  Yang H;  Zhao DG;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/29 SAPPHIRE   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：102/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE   Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 376-380 Zheng LX; Xie MH; Xu SJ; Cheung SH; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2010/08/12 surface processes  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting gallium compounds  GAN(0001) SURFACES  RECONSTRUCTIONS   Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255 Zheng LX; Yang H; Xu DP; Wang XJ; Li XF; Li JB; Wang YT; Duan LH; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrides  MOCVD  surface morphology  growth mechanism  PHASE EPITAXY  GAAS  OSCILLATIONS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY