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半导体研究所 [70]
内容类型
期刊论文 [70]
发表日期
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学科主题
半导体材料 [70]
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共70条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长
期刊论文
微电子学, 2012, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 881-884
张家奇,杨秋旻,赵杰,崔利杰,刘超,曾一平
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2013/05/29
分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性
期刊论文
稀有金属材料与工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032
作者:
王保柱
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2012/07/16
Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展
期刊论文
半导体光电, 2011, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 1-5,14
作者:
赵杰
;
李彦波
;
刘超
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2011/08/16
图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 020703-1-020703-5
作者:
牛智川
;
王杰
;
杨晓红
;
韩勤
;
贺继方
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2011/08/16
In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂
期刊论文
广西大学学报. 自然科学版, 2010, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 1027-1031
周文政
;
代娴
;
林铁
;
商丽燕
;
崔利杰
;
曾一平
;
褚君浩
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2011/08/16
射频分子束外延生长AlInGaN四元合金
期刊论文
无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
作者:
王保柱
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/23
解理面预处理方法对二次外延的影响
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 544-548
作者:
陈涌海
;
徐波
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1998-2002
林郭强
;
曾一平
;
王晓亮
;
刘宏新
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
期刊论文
光谱学与光谱分析, 2007, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 2178-2181
作者:
叶小玲
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs基上的InAs量子环制备
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 432-435
作者:
叶小玲
;
金鹏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
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