Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展

	Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展
	赵杰; 李彦波; 刘超
刊名	半导体光电
	2011
卷号	32 期号:1 页码:1-5,14
中文摘要	Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用. 文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态,并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21662]
专题	半导体研究所_半导体材料科学中心
推荐引用方式 GB/T 7714	赵杰,李彦波,刘超. Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展[J]. 半导体光电,2011,32(1):1-5,14.
APA	赵杰,李彦波,&刘超.(2011).Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展.半导体光电,32(1),1-5,14.
MLA	赵杰,et al."Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展".半导体光电 32.1(2011):1-5,14.