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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Behavior of Pentacene Initial Nucleation on Various Dielectrics and Its Effect on Carrier Transport in Organic Field-Effect Transistor 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7103-7107 Qi QO (Qi Qiong); Yu AF (Yu Aifang); Wang LM (Wang Liangmin); Jiang C (Jiang Chao) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/30 Organic Field-Effect Transistor  Dielectric Surface Energy  Initial Nucleation  Mobility  Grain Size   Broadband Emitting Superluminescent Diodes With InAs Quantum Dots in AlGaAs Matrix 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2008, 卷号: 20, 期号: 17-20, 页码: 1742-1744 Lv, XQ; Liu, N; Jin, P; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/03/08 AlGaAs matrix  broadband emitting  quantum dots (QDs)  superluminescent diodes (SLDs)   Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：74/8  |  提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TRANSISTORS  TEMPERATURE  SURFACES  PT/GAN  GROWTH  PD/GAN  MOCVD