QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Mechanical Deformation Behavior of Nonpolar GaN Thick Films by Berkovich Nanoindentation 期刊论文 nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 753-757 作者:  Duan RF;  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Nonpolar  HVPE  Nanoindentation  Cathodoluminescence  Raman mapping   Cathodoluminescence study of GaN-based film structures 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: s58-s63 suppl. 1 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/03/08 Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144 Lin, T; Zheng, K; Wang, CL; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：38/3  |  提交时间：2010/03/08 diffusion  metalorganic vapor phase epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes   Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EDGE DISLOCATIONS  GAN  FILMS  SUPERLATTICES  RELAXATION  STRAIN   Quantum dissipation and broadening mechanisms due to electron-phonon interactions in self-formed InGaN quantum dots 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 8, 页码: art.no.083123 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：653/4  |  提交时间：2010/04/11 LUMINESCENCE  TEMPERATURE  MODEL   Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure 会议论文 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001 Huang CJ; Zuo YH; Li C; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 Ge/Si islands  quantum dot  band alignment  PL  SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS  STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  II BAND ALIGNMENT  GE ISLANDS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  LAYERS  LUMINESCENCE  ORGANIZATION  MECHANISM