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半导体研究所 [2]
近代物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2021 [3]
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发表日期:2021
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Fabrication and characterization of normally-off AlGaNGaN HEMTs
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
Aqdas Fariza
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2021/12/16
Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7
作者:
Wang, Ying-Zhe
;
Zheng, Xue-Feng
;
Lv, Ling
;
Cao, Yan-Rong
;
Wang, Xiao-Hu
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2021/12/08
UVA LED
swift heavy ion irradiation
degradation
defect
low frequency noise
Single Event Burnout Hardening of Enhancement Mode HEMTs With Double Field Plates
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 9, 页码: 2358-2366
作者:
Zhen, Zixin
;
Feng, Chun
;
Wang, Quan
;
Niu, Di
;
Wang, Xiaoliang
;
Tan, Manqing
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2022/03/28
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