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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法 专利 申请日期: 2019-10-22, 作者:  郭旗;  蔡毓龙;  李豫东;  文林;  周东 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/11/25 一种基于PMOS剂量计的多点测量方法 专利 申请日期: 2019-09-10, 作者:  孙静;  郭旗;  陆妩;  余学峰;  何承发 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/25 一种在核辐射环境下探测温度信息的方法 专利 申请日期: 2019-07-09, 作者:  张巍;  施炜雷;  李豫东;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/11/25 深亚微米CMOS图像传感器像素单元累积辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  马林东 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/07/15 CMOS图像传感器  总剂量效应  位移效应   3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53 作者:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东 收藏  |  浏览/下载：166/0  |  提交时间：2019/05/09 背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应   γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68 作者:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/09 图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应   CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析 期刊论文 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 44-48 作者:  于新;  荀明珠;  郭旗;  何承发;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/07/29 位移损伤效应  非电离能量损失  CCD  CMOS   基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文 核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52 作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/03 辐照传感器  基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管  剂量计   8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理 期刊论文 光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49 作者:  汪波;  王立恒;  刘伟鑫;  孔泽斌;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/07/01 探测器  互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器  重离子辐照  单粒子翻转  损伤机理