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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs with Good DC and RF Performances 期刊论文 IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017 作者:  Chen C(陈晨);  Ding P(丁芃);  Niu JB(牛洁斌);  Yang F(杨枫);  Ding WC(丁武昌) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/05/15 Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 699, 期号: 无, 页码: 415-420 作者:  Xiao, D. Q.;  He, G.;  Lv, J. G.;  Wang, P. H.;  Liu, M. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/04 High-k Gate Dielectrics  Gd Incorporation  Xps  Electrical Properties  Sol-gel   Influence of using amorphous silicon stack as front heterojunction structure on performance of interdigitated back contact-heterojunction solar cell (IBC-HJ) 期刊论文 Frontiers in Energy, 2017 作者:  Tao K(陶科);  Jia R(贾锐);  Li Q(李强);  Dai XW(戴小宛);  Sun HC(孙恒超) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/05/15 Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 691, 期号: 无, 页码: 504-513 作者:  Gao, J.;  He, G.;  Liu, M.;  Lv, J. G.;  Sun, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/11/21 High-k Dielectric  Interface Thermal Stability  Atomic-layer-deposition  Band Alignment  Electrical Properties  Leakage Current Mechanism   Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.699, 页码: 415-420 作者:  Li,W. D.;  Lv,J. G.;  Jin,P.;  Xiao,D. Q.;  Wang,P. H. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 THIN-FILM TRANSISTORS  HIGH-PERFORMANCE  LOW-TEMPERATURE  HYBRID FILMS  FABRICATION  DEPOSITION  CONSTANT  OXIDES  STACK  HFO2   Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.691, 页码: 504-513 作者:  Lv,J. G.;  Jin,P.;  Xiao,D. Q.;  Zheng,C. Y.;  Chen,X. S. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 PULSED-LASER DEPOSITION  THERMAL-STABILITY  BAND ALIGNMENT  DIELECTRICS  SILICON  OXIDE  HFO2  SUBSTRATE  BARRIER  MEMORY   Nitrogen-concentration modulated interface quality, band alignment and electrical properties of HfTiON/Ge gate stack pretreated by trimethylaluminum precursor 期刊论文 Materials Research Bulletin, 2017, 卷号: Vol.91, 页码: 166-172 作者:  Lv,J. G.;  Xiao,D. Q.;  Cheng,C.;  Sun,Z. Q.;  Gao,J. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 GE SUBSTRATE  OXIDES   Characterization of the electronic structure and thermal stability of HfO2/SiO2/Si gate dielectric stack 期刊论文 SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2017, 卷号: 49, 期号: 8 作者:  Duan, T. L.;  Pan, L.;  Zhang, Z.;  Tok, E. S.;  Pan, J. S. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 多机器人系统编队的通信及控制 学位论文 2017 作者:  侯静茹 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/11/05 多机器人系统  编队控制  全方位移动机器人  定位方法  通信网络